Справочник MOSFET. NIF9N05CL

 

NIF9N05CL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NIF9N05CL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 52 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1418 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NIF9N05CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1447K  cn vbsemi
 nif9n05cl.pdf pdf_icon

NIF9N05CL

NIF9N05CLwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

 0.1. Size:71K  onsemi
 nif9n05cl-d.pdf pdf_icon

NIF9N05CL

NIF9N05CLProtected Power MOSFET2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT-223 Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) Low Switching Noise Generation52 V 107 mW 2.6 AFeatures Diode Clamp Between Gate and SourceDrain(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 500

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.