NIF9N05CL - описание и поиск аналогов

 

NIF9N05CL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NIF9N05CL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 52 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1418 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для NIF9N05CL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NIF9N05CL даташит

 ..1. Size:1447K  cn vbsemi
 nif9n05cl.pdf pdf_icon

NIF9N05CL

NIF9N05CL www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

 0.1. Size:71K  onsemi
 nif9n05cl-d.pdf pdf_icon

NIF9N05CL

NIF9N05CL Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT-223 Package http //onsemi.com Benefits VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) Low Switching Noise Generation 52 V 107 mW 2.6 A Features Diode Clamp Between Gate and Source Drain (Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 500

Другие MOSFET... NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , IRLZ44N , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.