FDD4N60NZ Todos los transistores

 

FDD4N60NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD4N60NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDD4N60NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  fairchild semi
 fdd4n60nz.pdf pdf_icon

FDD4N60NZ

November 2013FDD4N60NZN-Channel UniFETTM II MOSFET600 V, 3.4 A, 2.5 Features Description RDS(on) = 1.9 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 1.7 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)technology. This advanced MOSFET family has the smallest Low Crss (Typ. 3.7 pF)on-

Otros transistores... FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , 10N60 , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 , NTB45N06 , NTB45N06L .

History: IRL2910 | ET6309 | PSMN1R2-25YLD | AP2312GN | IRF8852 | P2610ATG | P1560JF

 

 
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