FDD4N60NZ - описание и поиск аналогов

 

FDD4N60NZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD4N60NZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для FDD4N60NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD4N60NZ даташит

 ..1. Size:607K  fairchild semi
 fdd4n60nz.pdf pdf_icon

FDD4N60NZ

November 2013 FDD4N60NZ N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 3.4 A, 2.5 Features Description RDS(on) = 1.9 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 1.7 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) technology. This advanced MOSFET family has the smallest Low Crss (Typ. 3.7 pF) on-

Другие MOSFET... FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , IRF640N , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 , NTB45N06 , NTB45N06L .

History: FQB27N25TMF085 | FDMC86265P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.