Справочник MOSFET. FDD4N60NZ

 

FDD4N60NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD4N60NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для FDD4N60NZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD4N60NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  fairchild semi
 fdd4n60nz.pdf pdf_icon

FDD4N60NZ

November 2013FDD4N60NZN-Channel UniFETTM II MOSFET600 V, 3.4 A, 2.5 Features Description RDS(on) = 1.9 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 1.7 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)technology. This advanced MOSFET family has the smallest Low Crss (Typ. 3.7 pF)on-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY3203C2 | IRF6725M

 

 
Back to Top

 


 
.