NTD110N02R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD110N02R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD110N02R datasheet
ntd110n02r.pdf
NTD110N02R Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss http //onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Optimized for High Side Switching Requirements in 24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A High-Efficiency DC-DC Converters Pb-Fre
ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf
NTD110N02R, STD110N02R Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss http //onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converter
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History: SSM3J15TE
History: SSM3J15TE
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