NTD110N02R Todos los transistores

 

NTD110N02R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD110N02R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTD110N02R Datasheet (PDF)

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NTD110N02R

NTD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Optimized for High Side Switching Requirements in24 V 4.1 mW @ 10 V 110 AHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Fre

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NTD110N02R

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

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History: BLF6G27-100 | HCFL60R190

 

 
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