NTD110N02R - описание и поиск аналогов

 

NTD110N02R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD110N02R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD110N02R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD110N02R даташит

 ..1. Size:68K  onsemi
 ntd110n02r.pdf pdf_icon

NTD110N02R

NTD110N02R Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss http //onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Optimized for High Side Switching Requirements in 24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A High-Efficiency DC-DC Converters Pb-Fre

 0.1. Size:131K  onsemi
 ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf pdf_icon

NTD110N02R

NTD110N02R, STD110N02R Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss http //onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converter

Другие MOSFET... NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN , NTB6411AN , NTB6412AN , NTB6413AN , 2N7002 , NTD14N03R , NTD18N06L , NTD20N03L27 , NTD20N06 , NTD20N06L , NTD20P06L , NTD24N06 , NTD24N06L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.