Справочник MOSFET. NTD110N02R

 

NTD110N02R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD110N02R
   Маркировка: T110N2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD110N02R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD110N02R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  onsemi
 ntd110n02r.pdf pdf_icon

NTD110N02R

NTD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Optimized for High Side Switching Requirements in24 V 4.1 mW @ 10 V 110 AHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Fre

 0.1. Size:131K  onsemi
 ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf pdf_icon

NTD110N02R

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLW520A

 

 
Back to Top

 


 
.