NTD110N02R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD110N02R
Маркировка: T110N2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 24 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23.6 nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 1105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD110N02R
NTD110N02R Datasheet (PDF)
ntd110n02r.pdf
NTD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Optimized for High Side Switching Requirements in24 V 4.1 mW @ 10 V 110 AHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Fre
ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf
NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter
Другие MOSFET... NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN , NTB6411AN , NTB6412AN , NTB6413AN , 18N50 , NTD14N03R , NTD18N06L , NTD20N03L27 , NTD20N06 , NTD20N06L , NTD20P06L , NTD24N06 , NTD24N06L .
