NTD14N03R Todos los transistores

 

NTD14N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD14N03R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NTD14N03R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTD14N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntd14n03r.pdf pdf_icon

NTD14N03R

NTD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC ConvertersD

 0.1. Size:109K  onsemi
 ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf pdf_icon

NTD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC Co

Otros transistores... NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN , NTB6411AN , NTB6412AN , NTB6413AN , NTD110N02R , K4145 , NTD18N06L , NTD20N03L27 , NTD20N06 , NTD20N06L , NTD20P06L , NTD24N06 , NTD24N06L , NTD25P03L .

History: NTD18N06L

 

 
Back to Top

 


 
.