Справочник MOSFET. NTD14N03R

 

NTD14N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD14N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD14N03R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD14N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntd14n03r.pdf pdf_icon

NTD14N03R

NTD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC ConvertersD

 0.1. Size:109K  onsemi
 ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf pdf_icon

NTD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC Co

Другие MOSFET... NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN , NTB6411AN , NTB6412AN , NTB6413AN , NTD110N02R , IRF1010E , NTD18N06L , NTD20N03L27 , NTD20N06 , NTD20N06L , NTD20P06L , NTD24N06 , NTD24N06L , NTD25P03L .

History: STP40N10 | FDPF20N50 | IRF153 | FDPF10N50FT | IXUV170N075S

 

 
Back to Top

 


 
.