Справочник MOSFET. NTD14N03R

 

NTD14N03R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD14N03R
   Маркировка: 14N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.8 nC
   Время нарастания (tr): 27 ns
   Выходная емкость (Cd): 62 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTD14N03R

 

 

NTD14N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
ntd14n03r.pdf

NTD14N03R
NTD14N03R

NTD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC ConvertersD

 0.1. Size:109K  onsemi
ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf

NTD14N03R
NTD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC Co

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top