Справочник MOSFET. NTD14N03R

 

NTD14N03R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD14N03R
   Маркировка: 14N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTD14N03R

 

 

NTD14N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntd14n03r.pdf

NTD14N03R NTD14N03R

NTD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC ConvertersD

 0.1. Size:109K  onsemi
 ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf

NTD14N03R NTD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC Co

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top