NTD24N06 Todos los transistores

 

NTD24N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD24N06
   Código: 24N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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NTD24N06 Datasheet (PDF)

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ntd24n06-001 ntd24n06g ntd24n06.pdf

NTD24N06 NTD24N06

NTD24N06Power MOSFET60 Volt, 24 AmpN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFeatures60 V 32 mW 24 A Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelTypical ApplicationsD Power Supplies Converters Power Motor Co

 0.1. Size:81K  onsemi
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NTD24N06 NTD24N06

NTD24N06LPower MOSFET24 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.24 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 0.036 W (Typ) Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelTypical ApplicationsD Power Supplies Converters

 0.2. Size:771K  cn vbsemi
ntd24n06lt4g.pdf

NTD24N06 NTD24N06

NTD24N06LT4Gwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

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