NTD24N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD24N06
Маркировка: 24N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 252 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NTD24N06 Datasheet (PDF)
ntd24n06-001 ntd24n06g ntd24n06.pdf
NTD24N06Power MOSFET60 Volt, 24 AmpN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFeatures60 V 32 mW 24 A Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelTypical ApplicationsD Power Supplies Converters Power Motor Co
ntd24n06l ntd24n06lg.pdf
NTD24N06LPower MOSFET24 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.24 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 0.036 W (Typ) Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelTypical ApplicationsD Power Supplies Converters
ntd24n06lt4g.pdf
NTD24N06LT4Gwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise
Другие MOSFET... NTB6413AN , NTD110N02R , NTD14N03R , NTD18N06L , NTD20N03L27 , NTD20N06 , NTD20N06L , NTD20P06L , 4435 , NTD24N06L , NTD25P03L , NTD2955 , NTD3055-094 , NTD3055-150 , NTD3055L104 , NTD3055L170 , NTD40N03R .
