NTD5807N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD5807N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 111 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD5807N

NTD5807N Datasheet (PDF)

0.1. Size:139K onsemi
ntd5807nt4g.pdf

NTD5807N, NVD5807NPower MOSFET40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD5807NV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant37 mW @ 4.5 V 16 A40 VApplications31 mW @ 10 V 23 A CCFL Backlight

0.2. Size:112K onsemi
ntd5807n-d.pdf

NTD5807NPower MOSFET40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications37 mW @ 4.5 V 16 A40 V CCFL Backlight31 mW @ 10 V 23 A DC Motor Control Class D AmplifierD Power Supply Secondary Side Synchr

0.3. Size:315K cn vbsemi
ntd5807nt.pdf

NTD5807NTwww.VBsemi.comN-Channel 4 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.013 at VGS = 10 V 5540 42 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGDG SSTop ViewN-Channel MOSFETA

Otros transistores... NTD5407N , NTD5413N , NTD5414N , NTD5802N , NTD5803N , NTD5804N , NTD5805N , NTD5806N , SPW47N60C3 , NTD5862N , NTD5865N , NTD5865NL , NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: