NTD5807N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD5807N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 111 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD5807N datasheet
ntd5807n-d.pdf
NTD5807N Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 37 mW @ 4.5 V 16 A 40 V CCFL Backlight 31 mW @ 10 V 23 A DC Motor Control Class D Amplifier D Power Supply Secondary Side Synchr
ntd5807nt.pdf
NTD5807NT www.VBsemi.com N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.013 at VGS = 10 V 55 40 42 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G D G S S Top View N-Channel MOSFET A
Otros transistores... NTD5407N , NTD5413N , NTD5414N , NTD5802N , NTD5803N , NTD5804N , NTD5805N , NTD5806N , IRFZ46N , NTD5862N , NTD5865N , NTD5865NL , NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN .
History: IRF840A
History: IRF840A
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