NTD5807N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTD5807N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 111 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTD5807N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD5807N даташит

 0.1. Size:139K  onsemi
 ntd5807nt4g.pdf pdf_icon

NTD5807N

 0.2. Size:112K  onsemi
 ntd5807n-d.pdf pdf_icon

NTD5807N

NTD5807N Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 37 mW @ 4.5 V 16 A 40 V CCFL Backlight 31 mW @ 10 V 23 A DC Motor Control Class D Amplifier D Power Supply Secondary Side Synchr

 0.3. Size:315K  cn vbsemi
 ntd5807nt.pdf pdf_icon

NTD5807N

NTD5807NT www.VBsemi.com N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.013 at VGS = 10 V 55 40 42 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G D G S S Top View N-Channel MOSFET A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTD5407N, NTD5413N, NTD5414N, NTD5802N, NTD5803N, NTD5804N, NTD5805N, NTD5806N, AO4468, NTD5862N, NTD5865N, NTD5865NL, NTD5867NL, NTD6414AN, NTD6415AN, NTD6415ANL, NTD6416AN