NTE4151P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTE4151P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.313 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.76 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm
Empaquetado / Estuche: SC89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTE4151P
NTE4151P Datasheet (PDF)
1.1. nta4151p nte4151p.pdf 
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NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features http://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate -20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are Available 0
4.1. nta4153n nte4153n.pdf Size:68K _onsemi
NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http://onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V Load/Power Sw
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