NTE4151P
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTE4151P
Маркировка: TM*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.313
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45(min)
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.76
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 2.1
nC
trⓘ -
Время нарастания: 8.2
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36
Ohm
Тип корпуса:
SC89
Аналог (замена) для NTE4151P
NTE4151P
Datasheet (PDF)
..1. Size:70K onsemi
nta4151p nte4151p.pdf 
NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and
..2. Size:66K onsemi
nta4151pt1 nta4151p nte4151p.pdf 
NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Features http://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate-20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are
8.1. Size:72K onsemi
nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf 
NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application
8.2. Size:68K onsemi
nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdf 
NTA4153N, NTE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89Featureshttp://onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V RatedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mAApplications0.242 W @ 1.8 V
8.3. Size:1950K cn vbsemi
nte4153nt1g.pdf 
NTE4153NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.
