NTE4151P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTE4151P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.313 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.76 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: SC89
NTE4151P Datasheet (PDF)
1.1. nta4151p nte4151p.pdf 
Size:66K _onsemi
NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features http://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate -20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are Available 0
4.1. nta4153n nte4153n.pdf Size:68K _onsemi
NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http://onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V Load/Power Sw
Другие MOSFET... NTD5865NL , NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN , NTD6416ANL , NTD70N03R , 2SK4106 , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N .
