NTF5P03T3 Todos los transistores

 

NTF5P03T3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTF5P03T3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT223

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NTF5P03T3 datasheet

 0.1. Size:143K  onsemi
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NTF5P03T3

 0.2. Size:849K  cn vbsemi
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NTF5P03T3

NTF5P03T3G www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS Loa

 7.1. Size:103K  onsemi
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NTF5P03T3

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

Otros transistores... NTD6416AN , NTD6416ANL , NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , IRFZ44N , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 .

History: IPD60R600CP | SSD20N10-130D

 

 

 


 
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