NTF5P03T3 Todos los transistores

 

NTF5P03T3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTF5P03T3
   Código: 5P03*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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NTF5P03T3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:143K  onsemi
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NTF5P03T3

NTF5P03T3GPower MOSFET5.2 A, 30 VP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)5.2 AMPERES, 30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery LifeRDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S This is a Pb-Free DeviceGApplications DC-DC Converters Power Management

 0.2. Size:849K  cn vbsemi
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NTF5P03T3

NTF5P03T3Gwww.VBsemi.twP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS Loa

 7.1. Size:103K  onsemi
 ntf5p03 nvf5p03.pdf pdf_icon

NTF5P03T3

NTF5P03, NVF5P03Power MOSFET-5.2 A, -30 VP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)-5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery LifeRDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

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History: ZVN4424ASTOA | 2SJ324

 

 
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