NTF5P03T3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTF5P03T3
Маркировка: 5P03*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.13 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 153 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT223
NTF5P03T3 Datasheet (PDF)
ntf5p03t3g.pdf
NTF5P03T3GPower MOSFET5.2 A, 30 VP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)5.2 AMPERES, 30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery LifeRDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S This is a Pb-Free DeviceGApplications DC-DC Converters Power Management
ntf5p03t3g.pdf
NTF5P03T3Gwww.VBsemi.twP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS Loa
ntf5p03 nvf5p03.pdf
NTF5P03, NVF5P03Power MOSFET-5.2 A, -30 VP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)-5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery LifeRDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free
Другие MOSFET... NTD6416AN , NTD6416ANL , NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , IRF3205 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 .
