NTGD1100L Todos los transistores

 

NTGD1100L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGD1100L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 8 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTGD1100L

 

NTGD1100L Datasheet (PDF)

1.1. ntgd1100l.pdf Size:110K _onsemi

NTGD1100L
NTGD1100L

NTGD1100L Power MOSFET 8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift, P-Channel, TSOP-6 The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages http://onsemi.com and high load currents are needed. The P-Channel device is specifically designed as a load switch usi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


NTGD1100L
  NTGD1100L
  NTGD1100L
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: 2N7405 | 2N7394U | 2N7394 | 2N7381 | 2N7380 | 2N7335E3 | 2N7335 | 2N7334 | 2N7297 | 2N7295 | 2N7293 | 2N7291 | 2N7281 | 2N7278 | 2N7275 |

 

 

 
Back to Top