NTGD1100L Todos los transistores

 

NTGD1100L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTGD1100L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTGD1100L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  onsemi
 ntgd1100l.pdf pdf_icon

NTGD1100L

NTGD1100LPower MOSFET8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift,P-Channel, TSOP-6The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in asingle package. This device is particularly suited for portableelectronic equipment where low control signals, low battery voltageshttp://onsemi.comand high load currents are needed. The P-Channel device isspecifically designed as a load switch

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History: OSG60R108KZF | BSP322P | CEM9936A | LSH65R1K5HT

 

 
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