NTGD1100L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTGD1100L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.83 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 8 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3.3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTGD1100L
NTGD1100L Datasheet (PDF)
1.1. ntgd1100l.pdf 
Size:110K _onsemi
NTGD1100L Power MOSFET 8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift, P-Channel, TSOP-6 The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages http://onsemi.com and high load currents are needed. The P-Channel device is specifically designed as a load switch usi
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
