NTGD1100L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTGD1100L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de NTGD1100L MOSFET
NTGD1100L Datasheet (PDF)
ntgd1100l.pdf

NTGD1100LPower MOSFET8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift,P-Channel, TSOP-6The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in asingle package. This device is particularly suited for portableelectronic equipment where low control signals, low battery voltageshttp://onsemi.comand high load currents are needed. The P-Channel device isspecifically designed as a load switch
Otros transistores... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .



Liste
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