NTGD1100L - описание и поиск аналогов

 

NTGD1100L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTGD1100L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для NTGD1100L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGD1100L даташит

 ..1. Size:110K  onsemi
 ntgd1100l.pdf pdf_icon

NTGD1100L

NTGD1100L Power MOSFET 8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift, P-Channel, TSOP-6 The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages http //onsemi.com and high load currents are needed. The P-Channel device is specifically designed as a load switch

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.