Справочник MOSFET. NTGD1100L

 

NTGD1100L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTGD1100L
   Маркировка: TZ*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для NTGD1100L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGD1100L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  onsemi
 ntgd1100l.pdf pdf_icon

NTGD1100L

NTGD1100LPower MOSFET8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift,P-Channel, TSOP-6The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in asingle package. This device is particularly suited for portableelectronic equipment where low control signals, low battery voltageshttp://onsemi.comand high load currents are needed. The P-Channel device isspecifically designed as a load switch

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top

 


 
.