NTGD4167C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTGD4167C 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6(1.9) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4(8) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09(0.17) Ohm
Encapsulados: TSOP6
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NTGD4167C datasheet
ntgd4167c.pdf
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