2SK956-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK956-01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK956-01
2SK956-01 Datasheet (PDF)
8.2. Size:203K inchange semiconductor
2sk956.pdf
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK956DESCRIPTIONDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor co
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