2SK956-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK956-01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK956-01 MOSFET
2SK956-01 Datasheet (PDF)
2sk956.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK956DESCRIPTIONDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor co
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History: IRL510S | IRL3202PBF | FTK4604 | WML53N60F2 | SSM5H01TU | STU10P6F6 | BL15N25-P
History: IRL510S | IRL3202PBF | FTK4604 | WML53N60F2 | SSM5H01TU | STU10P6F6 | BL15N25-P



Liste
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