2SK956-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK956-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK956-01 datasheet

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2SK956-01

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2SK956-01

Discontinued product. Discontinued product. Discontinued product.

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2SK956-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK956 DESCRIPTION Drain Current I =9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor co

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