2SK956-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK956-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK956-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK956-01 даташит

 0.1. Size:163K  fuji
 2sk956-01r.pdf pdf_icon

2SK956-01

 8.1. Size:142K  1
 2sk956.pdf pdf_icon

2SK956-01

Discontinued product. Discontinued product. Discontinued product.

 8.2. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk956.pdf pdf_icon

2SK956-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK956 DESCRIPTION Drain Current I =9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK950, 2SK951, 2SK951-01, 2SK952, 2SK953, 2SK954, 2SK955, 2SK956, IRF1405, 2SK957, 2SK957-01, 2SK958, 2SK959, 2SK960, 2SK960-MR, 2SK961, 2SK962