NTJD1155L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTJD1155L
Código: TB*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 8 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.175 Ohm
Paquete / Cubierta: SC88 SOT363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTJD1155L
NTJD1155L Datasheet (PDF)
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NTJD1155LPower MOSFET8 V, +1.3 A, High Side Load Switch withLevel-Shift, P-Channel SC-88The NTJD1155L integrates a P and N-Channel MOSFET in a singlepackage. This device is particularly suited for portable electronicequipment where low control signals, low battery voltages and highhttp://onsemi.comhttp://onsemi.comload currents are needed. The P-Channel device is specifically
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