NTJD1155L Todos los transistores

 

NTJD1155L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTJD1155L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: SC88 SOT363

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NTJD1155L datasheet

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NTJD1155L

NTJD1155L Power MOSFET 8 V, +1.3 A, High Side Load Switch with Level-Shift, P-Channel SC-88 The NTJD1155L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages and high http //onsemi.com http //onsemi.com load currents are needed. The P-Channel device is specifically

Otros transistores... NTHD4502N , NTHD4508N , SRC60R090B , NTHS4101P , NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , 2SK3878 , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N .

History: SWU6N65K | IXFB120N50P2 | WTM2300

 

 

 

 

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