NTJD1155L Todos los transistores

 

NTJD1155L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTJD1155L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT363
 

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NTJD1155L Datasheet (PDF)

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NTJD1155L

NTJD1155LPower MOSFET8 V, +1.3 A, High Side Load Switch withLevel-Shift, P-Channel SC-88The NTJD1155L integrates a P and N-Channel MOSFET in a singlepackage. This device is particularly suited for portable electronicequipment where low control signals, low battery voltages and highhttp://onsemi.comhttp://onsemi.comload currents are needed. The P-Channel device is specifically

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History: SFS9640 | NTHS5443

 

 
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