NTJD1155L - описание и поиск аналогов

 

NTJD1155L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTJD1155L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: SC88 SOT363

Аналог (замена) для NTJD1155L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD1155L даташит

 ..1. Size:110K  onsemi
 ntjd1155l.pdf pdf_icon

NTJD1155L

NTJD1155L Power MOSFET 8 V, +1.3 A, High Side Load Switch with Level-Shift, P-Channel SC-88 The NTJD1155L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages and high http //onsemi.com http //onsemi.com load currents are needed. The P-Channel device is specifically

Другие MOSFET... NTHD4502N , NTHD4508N , SRC60R090B , NTHS4101P , NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , 2SK3878 , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N .

History: WSF07N10 | IPP032N06N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.