Справочник MOSFET. NTJD1155L

 

NTJD1155L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTJD1155L
   Маркировка: TB*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: SC88 SOT363
 

 Аналог (замена) для NTJD1155L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD1155L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  onsemi
 ntjd1155l.pdf pdf_icon

NTJD1155L

NTJD1155LPower MOSFET8 V, +1.3 A, High Side Load Switch withLevel-Shift, P-Channel SC-88The NTJD1155L integrates a P and N-Channel MOSFET in a singlepackage. This device is particularly suited for portable electronicequipment where low control signals, low battery voltages and highhttp://onsemi.comhttp://onsemi.comload currents are needed. The P-Channel device is specifically

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 3N203

 

 
Back to Top

 


 
.