NTJD1155L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTJD1155L
Маркировка: TB*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 8 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.175 Ohm
Тип корпуса: SC88 SOT363
NTJD1155L Datasheet (PDF)
..1. Size:110K onsemi
ntjd1155l.pdf
ntjd1155l.pdf
NTJD1155LPower MOSFET8 V, +1.3 A, High Side Load Switch withLevel-Shift, P-Channel SC-88The NTJD1155L integrates a P and N-Channel MOSFET in a singlepackage. This device is particularly suited for portable electronicequipment where low control signals, low battery voltages and highhttp://onsemi.comhttp://onsemi.comload currents are needed. The P-Channel device is specifically
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
