NTJD4105C Todos los transistores

 

NTJD4105C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTJD4105C
   Código: TC*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 227 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.375 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT363
 

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NTJD4105C Datasheet (PDF)

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NTJD4105C

NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performancehttp://onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available0.29 W @ 4.5 VN-Ch

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NTJD4105C

NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Devicehttp://onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)0.29 W @ 4.5 VN-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

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NTJD4105C

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