NTJD4105C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTJD4105C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.27 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.63 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 227 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.375 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTJD4105C

NTJD4105C Datasheet (PDF)

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NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performancehttp://onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available0.29 W @ 4.5 VN-Ch

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NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Devicehttp://onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)0.29 W @ 4.5 VN-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

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