Справочник MOSFET. NTJD4105C

 

NTJD4105C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTJD4105C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 227 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm
   Тип корпуса: SC88 SOT363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD4105C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  onsemi
 ntjd4105c.pdf pdf_icon

NTJD4105C

NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performancehttp://onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available0.29 W @ 4.5 VN-Ch

 0.1. Size:72K  onsemi
 ntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105C

NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Devicehttp://onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)0.29 W @ 4.5 VN-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

 0.2. Size:2807K  cn tech public
 tpntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105C

 0.3. Size:2805K  cn tech public
 ntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMC8015L | IPP80N04S2-H4 | STB40NF10 | SI1402DH | 2N4338 | APM4050APUC | NCE16P07J

 

 
Back to Top

 


 
.