NTJD4105C - описание и поиск аналогов

 

NTJD4105C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTJD4105C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 227 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm

Тип корпуса: SC88 SOT363

Аналог (замена) для NTJD4105C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD4105C даташит

 ..1. Size:149K  onsemi
ntjd4105c.pdfpdf_icon

NTJD4105C

NTJD4105C Small Signal MOSFET 20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88 Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance http //onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available 0.29 W @ 4.5 V N-Ch

 0.1. Size:72K  onsemi
ntjd4105ct1g.pdfpdf_icon

NTJD4105C

NTJD4105C Small Signal MOSFET 20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88 Features Complementary N and P Channel Device http //onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating Class 1 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) 0.29 W @ 4.5 V N-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

 0.2. Size:2807K  cn tech public
tpntjd4105ct1g.pdfpdf_icon

NTJD4105C

 0.3. Size:2805K  cn tech public
ntjd4105ct1g.pdfpdf_icon

NTJD4105C

Другие MOSFET... SRC60R090B , NTHS4101P , NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , 2N7002 , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N .

History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.