Справочник MOSFET. NTJD4105C

 

NTJD4105C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTJD4105C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 227 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm
   Тип корпуса: SC88 SOT363
 

 Аналог (замена) для NTJD4105C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD4105C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  onsemi
 ntjd4105c.pdf pdf_icon

NTJD4105C

NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performancehttp://onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available0.29 W @ 4.5 VN-Ch

 0.1. Size:72K  onsemi
 ntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105C

NTJD4105CSmall Signal MOSFET20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88Features Complementary N and P Channel Devicehttp://onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating: Class 1V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)0.29 W @ 4.5 VN-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

 0.2. Size:2807K  cn tech public
 tpntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105C

 0.3. Size:2805K  cn tech public
 ntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SRC60R090B , NTHS4101P , NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , K4145 , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N .

 

 
Back to Top

 


 
.