NTJD5121N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTJD5121N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.295 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
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NTJD5121N datasheet
ntjd5121n.pdf
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ntjd5121n nvjd5121n.pdf
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History: STW70N65M2 | TK560A60Y
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