Справочник MOSFET. NTJD5121N

 

NTJD5121N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTJD5121N
   Маркировка: TF*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.295 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SC88 SOT363
 

 Аналог (замена) для NTJD5121N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD5121N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  onsemi
 ntjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121N

NTJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)http://onsemi.comhttp://onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA This is a Pb-Free Device 60 V2.5 W @ 4.5 VApplications Low Side Load SwitchSC-88 (SOT-363) DC-DC Conver

 ..2. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)www.onsemi.comwww.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V2.5 W @ 4.5 VSite and Control Change Requ

 0.1. Size:1935K  cn tech public
 ntjd5121nt1g.pdf pdf_icon

NTJD5121N

V2.5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSP6N90A

 

 
Back to Top

 


 
.