NTJD5121N - описание и поиск аналогов

 

NTJD5121N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTJD5121N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.295 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SC88 SOT363

Аналог (замена) для NTJD5121N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD5121N даташит

 ..1. Size:111K  onsemi
 ntjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121N

NTJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) http //onsemi.com http //onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA This is a Pb-Free Device 60 V 2.5 W @ 4.5 V Applications Low Side Load Switch SC-88 (SOT-363) DC-DC Conver

 ..2. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

 0.1. Size:1935K  cn tech public
 ntjd5121nt1g.pdf pdf_icon

NTJD5121N

V 2.5

Другие MOSFET... NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , AO3401 , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N .

History: LSD80R350GT | WMLL017N10HGS | IXFA102N15T | MDP18N50TH | LSC65R280HT | TK560A60Y

 

 

 

 

↑ Back to Top
.