NTJD5121N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTJD5121N
Маркировка: TF*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.295 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.9 nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 4.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Тип корпуса: SC88 SOT363
NTJD5121N Datasheet (PDF)
ntjd5121n.pdf
NTJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)http://onsemi.comhttp://onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA This is a Pb-Free Device 60 V2.5 W @ 4.5 VApplications Low Side Load SwitchSC-88 (SOT-363) DC-DC Conver
ntjd5121n nvjd5121n.pdf
NTJD5121N, NVJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)www.onsemi.comwww.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V2.5 W @ 4.5 VSite and Control Change Requ
Другие MOSFET... NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , 20N50 , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N .
