NTJS3157N Todos los transistores

 

NTJS3157N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTJS3157N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT363
 

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NTJS3157N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  onsemi
 ntjs3157n ntjs3157nt1g ntjs3157nt2 ntjs3157nt4.pdf pdf_icon

NTJS3157N

NTJS3157NTrench Power MOSFET20 V, 4.0 A, Single N-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Fast Switching for Increased Circuit Efficiency SC-88 Small Outline (2 x 2 mm) for Maximum Circuit BoardV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxUtilization, Same as SC-70-645 mW @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available4.0

 7.1. Size:134K  onsemi
 ntjs3151p ntjs3151pt1g ntjs3151pt2.pdf pdf_icon

NTJS3157N

NTJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureshttp://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V Pb-Free Packages are Available-12 V67 mW @ -2.5 V -3.3 AApplications

 7.2. Size:67K  onsemi
 ntjs3151p nvjs3151p.pdf pdf_icon

NTJS3157N

NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

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History: WSD2012DN25 | WMT04N10TS

 

 
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