NTK3139P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTK3139P
   Código: KD*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.31 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 6 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.66 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Tiempo de subida (tr): 5.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTK3139P

NTK3139P Datasheet (PDF)

..1. Size:129K onsemi
ntk3139p.pdf

NTK3139PMOSFET Power, Single,P-Channel with ESDProtection, SOT-723-20 V, -780 mAwww.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on)0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-890.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating-20 V0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at

0.1. Size:59K onsemi
ntk3139p-d ntk3139pt1g.pdf

NTK3139PPower MOSFET-20 V, -780 mA, Single P-Channel withESD Protection, SOT-723Featureshttp://onsemi.com P-channel Switch with Low RDS(on) 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating 0.38 W @ -4.5 V -780 mA Operated at Low Logic Level Gate Drive0.52 W @ -2.5 V -660 mA-20 V

0.2. Size:1967K cn tech public
tpntk3139pt1g.pdf