NTK3139P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTK3139P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Encapsulados: SOT723
Búsqueda de reemplazo de NTK3139P MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
NTK3139P datasheet
ntk3139p.pdf
NTK3139P MOSFET Power, Single, P-Channel with ESD Protection, SOT-723 -20 V, -780 mA www.onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on) 0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 0.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating -20 V 0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at
Otros transistores... NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , 13N50 , NTLGD3502N , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06