NTK3139P - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

NTK3139P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: NTK3139P
   Маркировка: KD*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.31 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.66 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 5.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 15 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для NTK3139P

NTK3139P Datasheet (PDF)

..1. Size:129K onsemi
ntk3139p.pdf

NTK3139PMOSFET Power, Single,P-Channel with ESDProtection, SOT-723-20 V, -780 mAwww.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on)0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-890.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating-20 V0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at

0.1. Size:59K onsemi
ntk3139p-d ntk3139pt1g.pdf

NTK3139PPower MOSFET-20 V, -780 mA, Single P-Channel withESD Protection, SOT-723Featureshttp://onsemi.com P-channel Switch with Low RDS(on) 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating 0.38 W @ -4.5 V -780 mA Operated at Low Logic Level Gate Drive0.52 W @ -2.5 V -660 mA-20 V

0.2. Size:1967K cn tech public
tpntk3139pt1g.pdf