NTLGD3502N Todos los transistores

 

NTLGD3502N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTLGD3502N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN6
 

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NTLGD3502N Datasheet (PDF)

 0.1. Size:115K  onsemi
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NTLGD3502N

NTLGD3502NPower MOSFET20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm PackageFeatures Exposed Drain Package Excellent Thermal Resistance for Superior Heat Dissipation Low Threshold Levelshttp://onsemi.com Low Profile (

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History: NCE4618SP | IRFBC20LPBF | SIF10N40C | IRF7701GPBF | IRF7703PBF | SSS1206H

 

 
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