Справочник MOSFET. NTLGD3502N

 

NTLGD3502N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTLGD3502N
   Маркировка: 3502
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: DFN6
 

 Аналог (замена) для NTLGD3502N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLGD3502N Datasheet (PDF)

 0.1. Size:115K  onsemi
 ntlgd3502n-d.pdf pdf_icon

NTLGD3502N

NTLGD3502NPower MOSFET20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm PackageFeatures Exposed Drain Package Excellent Thermal Resistance for Superior Heat Dissipation Low Threshold Levelshttp://onsemi.com Low Profile (

Другие MOSFET... NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , RFP50N06 , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P .

 

 
Back to Top

 


 
.