NTLGD3502N - описание и поиск аналогов

 

NTLGD3502N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTLGD3502N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: DFN6

Аналог (замена) для NTLGD3502N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLGD3502N даташит

 0.1. Size:115K  onsemi
 ntlgd3502n-d.pdf pdf_icon

NTLGD3502N

NTLGD3502N Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm Package Features Exposed Drain Package Excellent Thermal Resistance for Superior Heat Dissipation Low Threshold Levels http //onsemi.com Low Profile (

Другие MOSFET... NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , AON7410 , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P .

History: SE150110G | SFS06R10DF | AOD4120

 

 

 

 

↑ Back to Top
.