NTLGD3502N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTLGD3502N
Маркировка: 3502
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.74 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.9 nC
Время нарастания (tr): 17.5 ns
Выходная емкость (Cd): 138 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: DFN6
Аналог (замена) для NTLGD3502N
NTLGD3502N Datasheet (PDF)
0.1. Size:115K onsemi
ntlgd3502n-d.pdf
ntlgd3502n-d.pdf
NTLGD3502NPower MOSFET20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm PackageFeatures Exposed Drain Package Excellent Thermal Resistance for Superior Heat Dissipation Low Threshold Levelshttp://onsemi.com Low Profile (
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
