TK2R9E10PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK2R9E10PL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 306 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de TK2R9E10PL MOSFET
TK2R9E10PL Datasheet (PDF)
tk2r9e10pl.pdf

TK2R9E10PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 48 nC (typ.)(3) Small out
Otros transistores... NTMFS4937N , NTMFS4939N , NTMFS4941N , NTMFS4943N , NTMFS5830NL , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , IRF540N , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N .
History: VBMB165R07S | KMB6D6N30Q | FQA12P20 | SI7143DP | RSS140N03TB | KP780V9
History: VBMB165R07S | KMB6D6N30Q | FQA12P20 | SI7143DP | RSS140N03TB | KP780V9



Liste
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