TK2R9E10PL Todos los transistores

 

TK2R9E10PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK2R9E10PL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 306 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TK2R9E10PL Datasheet (PDF)

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TK2R9E10PL

TK2R9E10PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 48 nC (typ.)(3) Small out

Otros transistores... NTMFS4937N , NTMFS4939N , NTMFS4941N , NTMFS4943N , NTMFS5830NL , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , IRF540 , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N .

History: CJBA3139K | 2N6790U

 

 
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