TK2R9E10PL Todos los transistores

 

TK2R9E10PL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK2R9E10PL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 306 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK2R9E10PL datasheet

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TK2R9E10PL

TK2R9E10PL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK2R9E10PL TK2R9E10PL TK2R9E10PL TK2R9E10PL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 48 nC (typ.) (3) Small out

Otros transistores... NTMFS4937N , NTMFS4939N , NTMFS4941N , NTMFS4943N , NTMFS5830NL , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , IRF540 , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N .

 

 

 

 

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