TK2R9E10PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK2R9E10PL
Маркировка: K2R9E10PL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 306 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 161 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TK2R9E10PL
TK2R9E10PL Datasheet (PDF)
..1. Size:711K 1
tk2r9e10pl.pdf
tk2r9e10pl.pdf
TK2R9E10PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 48 nC (typ.)(3) Small out
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
