TK2R9E10PL - описание и поиск аналогов

 

TK2R9E10PL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK2R9E10PL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK2R9E10PL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2R9E10PL даташит

 ..1. Size:711K  1
 tk2r9e10pl.pdf pdf_icon

TK2R9E10PL

TK2R9E10PL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK2R9E10PL TK2R9E10PL TK2R9E10PL TK2R9E10PL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 48 nC (typ.) (3) Small out

Другие MOSFET... NTMFS4937N , NTMFS4939N , NTMFS4941N , NTMFS4943N , NTMFS5830NL , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , IRF540 , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N .

History: NTMS5838NL | NTMS4503N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.