Справочник MOSFET. TK2R9E10PL

 

TK2R9E10PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK2R9E10PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK2R9E10PL

 

 

TK2R9E10PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  1
 tk2r9e10pl.pdf

TK2R9E10PL TK2R9E10PL

TK2R9E10PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PLTK2R9E10PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 48 nC (typ.)(3) Small out

Другие MOSFET... NTMFS4937N , NTMFS4939N , NTMFS4941N , NTMFS4943N , NTMFS5830NL , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , IRF540 , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N .

 

 
Back to Top