NTMS7N03R2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTMS7N03R2
Código: E7N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 71 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC8
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NTMS7N03R2 Datasheet (PDF)
ntms7n03r2 ntms7n03r2g.pdf
NTMS7N03R2Power MOSFET7 Amps, 30 VoltsN-Channel SOIC-8Featureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 23 mW Avalanche Energy Specified IDSS Specified at Elevated TemperatureN-Channel Pb-Free Package is AvailableDTyp
ntms7n03r2g.pdf
NTMS7N03R2GPower MOSFET7 Amps, 30 Volts, N-Channel SOIC-8Features Ultra Low RDS(on)www.onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive Miniature SOIC-8 Surface Mount Package30 VOLTS Avalanche Energy SpecifiedRDS(on) = 23 mW IDSS Specified at Elevated Temperature This is a Pb-Free DeviceN-ChannelDTypical A
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