NTMS7N03R2 Todos los transistores

 

NTMS7N03R2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTMS7N03R2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC8
 

 Búsqueda de reemplazo de NTMS7N03R2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTMS7N03R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  onsemi
 ntms7n03r2 ntms7n03r2g.pdf pdf_icon

NTMS7N03R2

NTMS7N03R2Power MOSFET7 Amps, 30 VoltsN-Channel SOIC-8Featureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 23 mW Avalanche Energy Specified IDSS Specified at Elevated TemperatureN-Channel Pb-Free Package is AvailableDTyp

 0.1. Size:95K  onsemi
 ntms7n03r2g.pdf pdf_icon

NTMS7N03R2

NTMS7N03R2GPower MOSFET7 Amps, 30 Volts, N-Channel SOIC-8Features Ultra Low RDS(on)www.onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive Miniature SOIC-8 Surface Mount Package30 VOLTS Avalanche Energy SpecifiedRDS(on) = 23 mW IDSS Specified at Elevated Temperature This is a Pb-Free DeviceN-ChannelDTypical A

Otros transistores... NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , IRF630 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN .

History: NTP6410AN | RFD4N06L | DMN2058U | NTP6411AN

 

 
Back to Top

 


 
.