NTMS7N03R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMS7N03R2
Маркировка: E7N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
Время нарастания (tr): 71 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
Аналог (замена) для NTMS7N03R2
NTMS7N03R2 Datasheet (PDF)
ntms7n03r2 ntms7n03r2g.pdf
NTMS7N03R2Power MOSFET7 Amps, 30 VoltsN-Channel SOIC-8Featureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 23 mW Avalanche Energy Specified IDSS Specified at Elevated TemperatureN-Channel Pb-Free Package is AvailableDTyp
ntms7n03r2g.pdf
NTMS7N03R2GPower MOSFET7 Amps, 30 Volts, N-Channel SOIC-8Features Ultra Low RDS(on)www.onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive Miniature SOIC-8 Surface Mount Package30 VOLTS Avalanche Energy SpecifiedRDS(on) = 23 mW IDSS Specified at Elevated Temperature This is a Pb-Free DeviceN-ChannelDTypical A
Другие MOSFET... NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , AON6414A , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN .
