NTTD4401F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTTD4401F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: MICRO8
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NTTD4401F datasheet
nttd4401f nttd4401fr2.pdf
NTTD4401F FETKYt Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V, 1.0 A Schottky Diode, Micro8t Package http //onsemi.com The FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic level MOSFET PRODUCT SUMMARY MOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) Typ ID
Otros transistores... NTR4501N , NTR4502P , NTR4503N , NTS2101P , NTS4001N , NTS4101P , NTS4173P , NTS4409NT1G , IRF530 , NTTFS4821N , NTTFS4823N , NTTFS4824N , NTTFS4928N , NTTFS4929N , NTTFS4930N , NTTFS4932N , NTTFS4937N .
History: AOB4184
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