NTTD4401F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTTD4401F
   Código: BG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.42 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 10 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTTD4401F

NTTD4401F Datasheet (PDF)

..1. Size:92K onsemi
nttd4401f nttd4401fr2.pdf

NTTD4401FFETKYt Power MOSFETand Schottky Diode-20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V,1.0 A Schottky Diode, Micro8t Packagehttp://onsemi.comThe FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic levelMOSFET PRODUCT SUMMARYMOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, lowleakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) TypID

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Liste

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