Справочник MOSFET. NTTD4401F

 

NTTD4401F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTTD4401F
   Маркировка: BG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: MICRO8
 

 Аналог (замена) для NTTD4401F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTD4401F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  onsemi
 nttd4401f nttd4401fr2.pdf pdf_icon

NTTD4401F

NTTD4401FFETKYt Power MOSFETand Schottky Diode-20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V,1.0 A Schottky Diode, Micro8t Packagehttp://onsemi.comThe FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic levelMOSFET PRODUCT SUMMARYMOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, lowleakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) TypID

Другие MOSFET... NTR4501N , NTR4502P , NTR4503N , NTS2101P , NTS4001N , NTS4101P , NTS4173P , NTS4409NT1G , AO4407 , NTTFS4821N , NTTFS4823N , NTTFS4824N , NTTFS4928N , NTTFS4929N , NTTFS4930N , NTTFS4932N , NTTFS4937N .

History: BR7N60 | 2N7271H1

 

 
Back to Top

 


 
.