NTUD3169CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTUD3169CZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22(0.2) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25.5(46) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.6(3.8) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5(5) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT963
Búsqueda de reemplazo de NTUD3169CZ MOSFET
NTUD3169CZ Datasheet (PDF)
ntud3169cz.pdf
NTUD3169CZSmall Signal MOSFET20 V, 220 mA / -200 mA, Complementary,1.0 x 1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Complementary MOSFET Device Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0x1.0 mmV(BR)DSS RDS(on) Max ID MaxPackage1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating2.0 W @ 2.5 V Ultra Thin Profile (
ntud3174nz.pdf
NTUD3174NZSmall Signal MOSFET20 V, 220 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating2.0 W @ 2.5 V20 V 0.22 A Ultra Thin Profile (
ntud3127c-d.pdf
NTUD3127CSmall Signal MOSFET20 V, 200 mA / -180 mA, Complementary,1.0 x 1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Complementary MOSFET Device 1.5 V Gate Voltage RatingV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Ultra Thin Profile (
ntud3128n.pdf
NTUD3128NSmall Signal MOSFET20 V, 200 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.0 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating20 V 0.2 A4.0 W @ 2.5 V Ultra Thin Profile (
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History: FTK8810
History: FTK8810
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