Справочник MOSFET. NTUD3169CZ

 

NTUD3169CZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTUD3169CZ
   Маркировка: 2*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22(0.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.5(46) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.6(3.8) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(5) Ohm
   Тип корпуса: SOT963
 

 Аналог (замена) для NTUD3169CZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTUD3169CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  onsemi
 ntud3169cz.pdf pdf_icon

NTUD3169CZ

NTUD3169CZSmall Signal MOSFET20 V, 220 mA / -200 mA, Complementary,1.0 x 1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Complementary MOSFET Device Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0x1.0 mmV(BR)DSS RDS(on) Max ID MaxPackage1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating2.0 W @ 2.5 V Ultra Thin Profile (

 8.1. Size:109K  onsemi
 ntud3174nz.pdf pdf_icon

NTUD3169CZ

NTUD3174NZSmall Signal MOSFET20 V, 220 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating2.0 W @ 2.5 V20 V 0.22 A Ultra Thin Profile (

 8.2. Size:114K  onsemi
 ntud3127c-d.pdf pdf_icon

NTUD3169CZ

NTUD3127CSmall Signal MOSFET20 V, 200 mA / -180 mA, Complementary,1.0 x 1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Complementary MOSFET Device 1.5 V Gate Voltage RatingV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Ultra Thin Profile (

 8.3. Size:81K  onsemi
 ntud3128n.pdf pdf_icon

NTUD3169CZ

NTUD3128NSmall Signal MOSFET20 V, 200 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.0 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating20 V 0.2 A4.0 W @ 2.5 V Ultra Thin Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTTFS4937N , NTTFS4939N , NTTFS4941N , NTTFS5116PL , NTTFS5811NL , NTTFS5820NL , NTTFS5826NL , NTUD3127C , IRFZ46N , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT .

History: BUK438W-800B

 

 
Back to Top

 


 
.