NTZD5110N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTZD5110N
Código: S7*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.294 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 0.7 nC
Tiempo de subida (tr): 7.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.2 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT563
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTZD5110N
NTZD5110N Datasheet (PDF)
..1. Size:103K onsemi
ntzd5110n.pdf
ntzd5110n.pdf
NTZD5110NSmall Signal MOSFET60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiencyhttp://onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices1.6 W @ 10 V60 310 mA2.5 W @ 4.5 VApplications Load/Power Switches Dri
Otros transistores... NTTFS5820NL , NTTFS5826NL , NTUD3127C , NTUD3169CZ , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , 13N50 , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL .
