NTZD5110N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTZD5110N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.294 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: SOT563

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NTZD5110N datasheet

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NTZD5110N

NTZD5110N Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices 1.6 W @ 10 V 60 310 mA 2.5 W @ 4.5 V Applications Load/Power Switches Dri

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