NTZD5110N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTZD5110N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.294 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT563
NTZD5110N Datasheet (PDF)
ntzd5110n.pdf

NTZD5110NSmall Signal MOSFET60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiencyhttp://onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices1.6 W @ 10 V60 310 mA2.5 W @ 4.5 VApplications Load/Power Switches Dri
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History: IRFB9N30A | 2SK740



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