NTZD5110N Todos los transistores

 

NTZD5110N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTZD5110N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.294 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563
 

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NTZD5110N datasheet

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NTZD5110N

NTZD5110N Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices 1.6 W @ 10 V 60 310 mA 2.5 W @ 4.5 V Applications Load/Power Switches Dri

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History: 2SK1060 | AGM30P35D | IRFZ46NLPBF | AGM20P07EL | IRLI530G

 

 
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