Справочник MOSFET. NTZD5110N

 

NTZD5110N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTZD5110N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.294 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT563
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTZD5110N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntzd5110n.pdf pdf_icon

NTZD5110N

NTZD5110NSmall Signal MOSFET60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiencyhttp://onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices1.6 W @ 10 V60 310 mA2.5 W @ 4.5 VApplications Load/Power Switches Dri

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP45N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.