Справочник MOSFET. NTZD5110N

 

NTZD5110N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTZD5110N
   Маркировка: S7*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.294 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT563

 Аналог (замена) для NTZD5110N

 

 

NTZD5110N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntzd5110n.pdf

NTZD5110N NTZD5110N

NTZD5110NSmall Signal MOSFET60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiencyhttp://onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices1.6 W @ 10 V60 310 mA2.5 W @ 4.5 VApplications Load/Power Switches Dri

Другие MOSFET... NTTFS5820NL , NTTFS5826NL , NTUD3127C , NTUD3169CZ , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , IRF530 , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL .

 

 
Back to Top