NTZD5110N - описание и поиск аналогов

 

NTZD5110N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTZD5110N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.294 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для NTZD5110N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTZD5110N даташит

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntzd5110n.pdf pdf_icon

NTZD5110N

NTZD5110N Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices 1.6 W @ 10 V 60 310 mA 2.5 W @ 4.5 V Applications Load/Power Switches Dri

Другие MOSFET... NTTFS5820NL , NTTFS5826NL , NTUD3127C , NTUD3169CZ , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , IRF2807 , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL .

History: FDS4435BZF085

 

 

 

 

↑ Back to Top
.