NTZD5110N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTZD5110N
Маркировка: S7*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.294 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.7 nC
Время нарастания (tr): 7.3 ns
Выходная емкость (Cd): 4.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT563
NTZD5110N Datasheet (PDF)
..1. Size:103K onsemi
ntzd5110n.pdf
ntzd5110n.pdf
NTZD5110NSmall Signal MOSFET60 V, 310 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiencyhttp://onsemi.com Low Threshold Voltage ESD Protected Gate Small Footprint 1.6 x 1.6 mm V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max These are Pb-Free Devices1.6 W @ 10 V60 310 mA2.5 W @ 4.5 VApplications Load/Power Switches Dri
Другие MOSFET... NTTFS5820NL , NTTFS5826NL , NTUD3127C , NTUD3169CZ , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , 13N50 , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL .
