NTZS3151P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTZS3151P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.17 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: SOT563
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NTZS3151P datasheet
ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf
NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA Applications 195 mW @ -1.8 V Load/Power Switches P-Channel MOSFET Battery Man
ntzs3151p.pdf
NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 V Compliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA 195 mW @ -1.8 V Applications P-Channel MO
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