NTZS3151P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTZS3151P
Código: TX*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.17 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.86 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 5.6 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT563
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTZS3151P
NTZS3151P Datasheet (PDF)
ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf
NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V-20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mAApplications195 mW @ -1.8 V Load/Power SwitchesP-Channel MOSFET Battery Man
ntzs3151p.pdf
NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 VCompliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA195 mW @ -1.8 VApplicationsP-Channel MO
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