NTZS3151P - описание и поиск аналогов

 

NTZS3151P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTZS3151P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для NTZS3151P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTZS3151P даташит

 ..1. Size:130K  onsemi
 ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf pdf_icon

NTZS3151P

NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA Applications 195 mW @ -1.8 V Load/Power Switches P-Channel MOSFET Battery Man

 ..2. Size:96K  onsemi
 ntzs3151p.pdf pdf_icon

NTZS3151P

NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 V Compliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA 195 mW @ -1.8 V Applications P-Channel MO

Другие MOSFET... NTTFS5826NL , NTUD3127C , NTUD3169CZ , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , NTZD5110N , STF13NM60N , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL , NVD5865NL .

History: FDS4435BZF085

 

 

 

 

↑ Back to Top
.