WPB4002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WPB4002
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 84 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PB
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WPB4002 Datasheet (PDF)
wpb4002.pdf
WPB4002Ordering number : ENA1769SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceWPB4002ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=115ns (typ) ON-resistance RDS(on)=0.28 (typ) Input capacitance Ciss=2200pF (typ) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Rating
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Liste
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