WPB4002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WPB4002
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 84 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WPB4002
WPB4002 Datasheet (PDF)
wpb4002.pdf
WPB4002Ordering number : ENA1769SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceWPB4002ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=115ns (typ) ON-resistance RDS(on)=0.28 (typ) Input capacitance Ciss=2200pF (typ) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Rating
Otros transistores... SFT1446 , SFT1450 , SMP3003 , TF202THC , TF252 , TF252TH , TF256 , TF256TH , AON6414A , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD