Справочник MOSFET. WPB4002

 

WPB4002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WPB4002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для WPB4002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WPB4002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  sanyo
 wpb4002.pdf pdf_icon

WPB4002

WPB4002Ordering number : ENA1769SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceWPB4002ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=115ns (typ) ON-resistance RDS(on)=0.28 (typ) Input capacitance Ciss=2200pF (typ) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Rating

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MDIS5N50TH | KF5N50PS

 

 
Back to Top

 


 
.