WPB4002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WPB4002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO3PB
WPB4002 Datasheet (PDF)
wpb4002.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WPB4002Ordering number : ENA1769SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceWPB4002ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=115ns (typ) ON-resistance RDS(on)=0.28 (typ) Input capacitance Ciss=2200pF (typ) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Rating
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .