WPB4002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WPB4002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO3PB
WPB4002 Datasheet (PDF)
wpb4002.pdf
WPB4002Ordering number : ENA1769SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceWPB4002ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=115ns (typ) ON-resistance RDS(on)=0.28 (typ) Input capacitance Ciss=2200pF (typ) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Rating
Другие MOSFET... SFT1446 , SFT1450 , SMP3003 , TF202THC , TF252 , TF252TH , TF256 , TF256TH , AON6414A , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC .
History: IXTH27N40MA | STL50NH3LL | MTDN8810AT8 | AM7100N | IRF9230 | NTZD3152P
History: IXTH27N40MA | STL50NH3LL | MTDN8810AT8 | AM7100N | IRF9230 | NTZD3152P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918