FMM110-015X2F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMM110-015X2F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4
Búsqueda de reemplazo de FMM110-015X2F MOSFET
FMM110-015X2F Datasheet (PDF)
fmm110-015x2f.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFET VDSS = 150VFMM110-015X2FN-Channel Power ID25 = 53A MOSFET RDS(on) 20m 33T1trr(typ) = 85ns5544T211Phase Leg TopologyISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +175 C 1TJM 175 CIsolated TabTstg -55 ... +175 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Otros transistores... FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , K4145 , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P .
History: IXFP5N50PM | ECH8419
History: IXFP5N50PM | ECH8419



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG | JMSH0606PC | JMSH0606AU | JMSH0606AKQ | JMSH0606AK | JMSH0606AGQ | JMSH0606AG | JMSH0605AGDQ | JMSH0605AGD | JBL101N | JBL083M
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet