FMM110-015X2F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMM110-015X2F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSI4

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FMM110-015X2F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FMM110-015X2F datasheet

 ..1. Size:176K  ixys
 fmm110-015x2f.pdf pdf_icon

FMM110-015X2F

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFET VDSS = 150V FMM110-015X2F N-Channel Power ID25 = 53A MOSFET RDS(on) 20m 3 3 T1 trr(typ) = 85ns 5 5 4 4 T2 1 1 Phase Leg Topology ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +175 C 1 TJM 175 C Isolated Tab Tstg -55 ... +175 C 5 VISOLD 50/60HZ, RMS, t

Otros transistores... FMD15-06KC5, FDMS8672S, FMD21-05QC, FMD40-06KC, FDMS86368F085, FMD47-06KC5, FDBL86361F085, FMK75-01F, IRF9540N, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, FMM60-02TF, FMM75-01F, FMP26-02P, FMP36-015P