FMM110-015X2F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMM110-015X2F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMM110-015X2F
FMM110-015X2F Datasheet (PDF)
fmm110-015x2f.pdf
Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFET VDSS = 150VFMM110-015X2FN-Channel Power ID25 = 53A MOSFET RDS(on) 20m 33T1trr(typ) = 85ns5544T211Phase Leg TopologyISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +175 C 1TJM 175 CIsolated TabTstg -55 ... +175 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF9540 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM3400E | AGM325ME | AGM320M | AGM318MN | AGM318MBP | AGM318MAP | AGM318D | AGM315MN | AGM315MBP | AGM314MD | AGM314MAP | AGM314MA | AGM312ME | AGM312MAP | AGM312M2 | AGM312M1
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet


