FMM110-015X2F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FMM110-015X2F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMM110-015X2F
FMM110-015X2F Datasheet (PDF)
fmm110-015x2f.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFET VDSS = 150VFMM110-015X2FN-Channel Power ID25 = 53A MOSFET RDS(on) 20m 33T1trr(typ) = 85ns5544T211Phase Leg TopologyISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +175 C 1TJM 175 CIsolated TabTstg -55 ... +175 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FDD5N50NZ | SHDG225509 | IRF640P
History: FDD5N50NZ | SHDG225509 | IRF640P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG | JMSH0606PC | JMSH0606AU | JMSH0606AKQ | JMSH0606AK | JMSH0606AGQ | JMSH0606AG | JMSH0605AGDQ | JMSH0605AGD | JBL101N | JBL083M
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet