Справочник MOSFET. FMM110-015X2F

 

FMM110-015X2F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMM110-015X2F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4
 

 Аналог (замена) для FMM110-015X2F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM110-015X2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ixys
 fmm110-015x2f.pdf pdf_icon

FMM110-015X2F

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFET VDSS = 150VFMM110-015X2FN-Channel Power ID25 = 53A MOSFET RDS(on) 20m 33T1trr(typ) = 85ns5544T211Phase Leg TopologyISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +175 C 1TJM 175 CIsolated TabTstg -55 ... +175 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t

Другие MOSFET... FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , K4145 , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P .

History: IRC830

 

 
Back to Top

 


 
.