FMM60-02TF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMM60-02TF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSI4

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FMM60-02TF datasheet

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FMM60-02TF

Advance Technical Information Trench Gate HiperFET VDSS = 200V FMM60-02TF N-Channel Power MOSFET ID25 = 33A RDS(on) 40m 3 3 T1 trr(typ) = 82ns 5 5 4 4 Phase Leg Topology T2 1 1 ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C 1 TJM 150 C Isolated Tab Tstg -55 ... +150 C 5 VISOLD 50/60HZ, RMS, t

Otros transistores... FMD47-06KC5, FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, 2SK3568, FMM75-01F, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD, FDMS0300S