FMM60-02TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMM60-02TF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4
Búsqueda de reemplazo de FMM60-02TF MOSFET
FMM60-02TF Datasheet (PDF)
fmm60-02tf.pdf

Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 200VFMM60-02TFN-Channel Power MOSFETID25 = 33A RDS(on) 40m 33T1trr(typ) = 82ns5544Phase Leg TopologyT211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 C 1TJM 150 CIsolated TabTstg -55 ... +150 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Otros transistores... FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , SPP20N60C3 , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S .
History: SI7682DP | NVATS5A302PLZ | FXN8N65F | BSC026N02KSG | IXFQ28N60P3 | 2N5904 | IRFH7936
History: SI7682DP | NVATS5A302PLZ | FXN8N65F | BSC026N02KSG | IXFQ28N60P3 | 2N5904 | IRFH7936



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTK3005L | JMTK3005C | JMTK3005B | JMTK3005A | JMTK3004A | JMTK3003A | JMTK3002B | JMTK290N06A | JMTK2007A | JMTK2006A | JMTK170N10A | JMTK160P03A | JMTK1404A1 | JMTK130P04A | JMTK120N03A | JMTK110N06A
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