FMM60-02TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMM60-02TF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 90 nC
Tiempo de elevación (tr): 42 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: ISOPLUSI4
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FMM60-02TF Datasheet (PDF)
0.1. fmm60-02tf.pdf 
Size:95K _ixys
Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 200VFMM60-02TFN-Channel Power MOSFETID25 = 33A RDS(on) 40m 33T1trr(typ) = 82ns5544Phase Leg TopologyT211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 C 1TJM 150 CIsolated TabTstg -55 ... +150 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
