Справочник MOSFET. FMM60-02TF

 

FMM60-02TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FMM60-02TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A

Общий заряд затвора (Qg): 90 nC

Время нарастания (tr): 42 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSI4

Аналог (замена) для FMM60-02TF

 

 

FMM60-02TF Datasheet (PDF)

..1. fmm60-02tf.pdf Size:95K _ixys

FMM60-02TF FMM60-02TF

Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 200VFMM60-02TFN-Channel Power MOSFETID25 = 33A RDS(on) 40m 33T1trr(typ) = 82ns5544Phase Leg TopologyT211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 C 1TJM 150 CIsolated TabTstg -55 ... +150 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t

Другие MOSFET... FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , RU6888R , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S .

 

 
Back to Top