Аналоги FMM60-02TF. Основные параметры
Наименование производителя: FMM60-02TF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMM60-02TF
FMM60-02TF даташит
fmm60-02tf.pdf
Advance Technical Information Trench Gate HiperFET VDSS = 200V FMM60-02TF N-Channel Power MOSFET ID25 = 33A RDS(on) 40m 3 3 T1 trr(typ) = 82ns 5 5 4 4 Phase Leg Topology T2 1 1 ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C 1 TJM 150 C Isolated Tab Tstg -55 ... +150 C 5 VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Другие MOSFET... FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , K3569 , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor


