Справочник MOSFET. FMM60-02TF

 

FMM60-02TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMM60-02TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4
 

 Аналог (замена) для FMM60-02TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM60-02TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ixys
 fmm60-02tf.pdf pdf_icon

FMM60-02TF

Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 200VFMM60-02TFN-Channel Power MOSFETID25 = 33A RDS(on) 40m 33T1trr(typ) = 82ns5544Phase Leg TopologyT211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 C 1TJM 150 CIsolated TabTstg -55 ... +150 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t

Другие MOSFET... FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , SPP20N60C3 , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S .

History: APQ4ESN50AF

 

 
Back to Top

 


 
.