FMM60-02TF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FMM60-02TF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSI4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FMM60-02TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM60-02TF даташит

 ..1. Size:95K  ixys
 fmm60-02tf.pdf pdf_icon

FMM60-02TF

Advance Technical Information Trench Gate HiperFET VDSS = 200V FMM60-02TF N-Channel Power MOSFET ID25 = 33A RDS(on) 40m 3 3 T1 trr(typ) = 82ns 5 5 4 4 Phase Leg Topology T2 1 1 ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C 1 TJM 150 C Isolated Tab Tstg -55 ... +150 C 5 VISOLD 50/60HZ, RMS, t

Другие IGBT... FMD47-06KC5, FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, 2SK3568, FMM75-01F, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD, FDMS0300S