FMM60-02TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: FMM60-02TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам