FMM60-02TF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMM60-02TF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMM60-02TF
FMM60-02TF Datasheet (PDF)
fmm60-02tf.pdf

Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 200VFMM60-02TFN-Channel Power MOSFETID25 = 33A RDS(on) 40m 33T1trr(typ) = 82ns5544Phase Leg TopologyT211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 C 1TJM 150 CIsolated TabTstg -55 ... +150 C5VISOLD 50/60HZ, RMS, t
Другие MOSFET... FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , SPP20N60C3 , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D
Popular searches
2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor