FMM75-01F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMM75-01F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4
Búsqueda de reemplazo de FMM75-01F MOSFET
FMM75-01F Datasheet (PDF)
fmm75-01f.pdf
FMM 75-01FID25 = 75 AHiPerFETTM Power MOSFETVDSS = 100 VPhaseleg Topologyin ISOPLUS i4-PACTMRDSon typ. = 18 m3Preliminary dataT154T2 1125Features MOSFET T1/T2 HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon- low gate charge for high frequencyVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V operation- unclamped inductive
Otros transistores... FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , FMM60-02TF , IRFP260 , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD .
History: FQI9N15TU | 2N65G-TF2-T | FQL50N40
History: FQI9N15TU | 2N65G-TF2-T | FQL50N40
Liste
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