FMM75-01F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMM75-01F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSI4

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FMM75-01F datasheet

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FMM75-01F

FMM 75-01F ID25 = 75 A HiPerFETTM Power MOSFET VDSS = 100 V Phaseleg Topology in ISOPLUS i4-PACTM RDSon typ. = 18 m 3 Preliminary data T1 5 4 T2 1 1 2 5 Features MOSFET T1/T2 HiPerFETTM technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon - low gate charge for high frequency VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V operation - unclamped inductive

Otros transistores... FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, FMM60-02TF, IRFP260, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD, FDMS0300S, GMM3x160-0055X2-SMD